Микросхема энергонезависимой памяти NOR FLASH GSN2517Y в корпусе SOP8 производства GS Nanotech (входит в GS Group) внесена в реестр промышленной продукции, произведенной на территории РФ.
Аналогичная микросхема от GS Nanotech имела менее распространённый корпус LGA-41. Чтобы удовлетворить потребности рынка, инженеры GS Nanotech выпустили решение pin-to-pin, совместимое с иностранными аналогами, привычными российским разработчикам.
Микросхемы NOR FLASH используют последовательный интерфейс SPI, позволяют осуществлять не менее 100 тысяч циклов записи и стирания на сектор, а также обеспечивают 20-летнее хранение данных и программируемую защиту от записи. Кроме того, в микросхемах GSN2517Y применяется побайтный доступ к памяти, что обуславливает высокую скорость чтения данных (на уровне 50 МБ/с) и базовую надежность. Каждое устройство имеет 64-битный уникальный̆ идентификатор и рабочий̆ температурный̆ диапазон от -40 до +85 °C.
Применение энергонезависимой памяти требуется почти во всей электронике. Сфера использования NOR FLASH варьируется от телекоммуникации и связи до автоэлектроники, датчиков, промышленных контроллеров. Если оценивать требования ПП №719, то применение отечественных микросхем памяти в автоэлектронике или счётчике электроэнергии поможет набрать производителю целых 12 баллов для соответствия ужесточающимся требованиям, связанным с применением российских комплектующих.
Сегодня микросхема NOR FLASH GSN2517Y в корпусе SOP8 является полным аналогом импортных решений, но имея российский статус, она будет востребована у отечественных производителей электроники.
Фото: пресс-служба GS Group
